电平移位电路
授权
摘要
提供了一种电平移位电路，包括多个p型金属氧化物半导体(PMOS)器件和多个n型金属氧化物半导体(NMOS)器件，该电平移位电路可以用于使输入电压信号在具有低电压电平的低电压域与具有高电压电平的高电压域之间进行电平移位，以获得在输出节点处具有输出电压电平的输出电压信号。受电流控制的联接电路可以连接在输出节点与输出电压电平之间，以传导电流，该电流使电平移位电路的输出节点在电平移位电路的上电序列期间处于预限定的逻辑状态。因此，在上电序列期间避免寄生、非确定性输出电平。
基本信息
专利标题 ：
电平移位电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921739893.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-16
授权号 ：
CN211378008U
授权日 ：
2020-08-28
发明人 ：
杨佳楠詹姆斯·尼森大卫·韦德·埃克布施
申请人 ：
半导体元件工业有限责任公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那州
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
张玮
优先权 ：
CN201921739893.6
主分类号 ：
H03K19/0185
IPC分类号 ：
H03K19/0185
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法律状态
2020-08-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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