晶体管电平移位电路
授权
摘要
一种晶体管电平移位电路，其完全通过P型金属氧化物半导体薄膜式晶体管(PMOS TFT)所组成。该晶体管电平移位电路主要包括一转换电路、一第一放大电路及一第二放大电路，由于电路结构的设计简化、晶体管数目少，因此在较大的负载下，仍能快速及有效地运作。
基本信息
专利标题 ：
晶体管电平移位电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1812265A
申请号 ：
CN200610019865.8
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2006-03-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙文堂
申请人 ：
友达光电股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
蒲迈文
优先权 ：
CN200610019865.8
主分类号 ：
H03K19/0185
IPC分类号 ：
H03K19/0185 G09G3/36 G09G3/20 G02F1/133
法律状态
2009-02-18 ：
授权
2006-09-27 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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