电容耦合式电平移位器
授权
摘要
本申请涉及一种电容耦合式电平移位器。公开了一种半桥式GaN电路。所述电路包含：低侧电源开关，其经配置以根据一或多个输入信号而选择性地导电；高侧电源开关，其经配置以根据所述一或多个输入信号而选择性地导电；和高侧电源开关控制器，其经配置以基于所述一或多个输入信号而控制所述高侧电源开关的导电性。所述高侧电源开关控制器包含电容器和逻辑电路，其中所述电容器经配置以将基于所述输入信号的信号电容性耦合到所述逻辑电路，且所述逻辑电路经配置以基于所述电容耦合式信号而控制所述高侧电源开关的导电性。
基本信息
专利标题 ：
电容耦合式电平移位器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113037273A
申请号 ：
CN202110219334.8
公开（公告）日 ：
2021-06-25
申请日 ：
2018-11-14
授权号 ：
CN113037273B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
S·夏尔马M·詹代利亚D·M·金策T·普尔巴里奇
申请人 ：
纳维达斯半导体有限公司
申请人地址 ：
爱尔兰都柏林
代理机构 ：
北京市汉坤律师事务所
代理人 ：
魏小薇
优先权 ：
CN202110219334.8
主分类号 ：
H03K19/0185
IPC分类号 ：
H03K19/0185 H03K19/0175
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2021-07-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03K 19/0185
申请日 : 20181114
申请日 : 20181114
2021-06-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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