一种电平移位电路
实质审查的生效
摘要
本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种电平移位电路，本发明相对于传统的电路增加了第一钳位电路和第二钳位电路，通过两个串联的栅源电压把IO接口电压至少降低两个阈值电压，这样确保第一NMOS管和第二NMOS管可以采用更低耐压的器件；增加了互钳下拉NMOS管，可以确保第一节点NET1和第二节点NET2的电压最高达到电源或者最低达到地，避免出现中间电压造成电路大漏电。通过这些措施，选用的第一NMOS管和第二NMOS管的器件耐压要比传统的电路中相应的器件耐压要低。低耐压的器件具有更低的阈值电压，更容易在低电平CORE电压信号的控制下发生沟道导通，实现电平移位功能。
基本信息
专利标题 ：
一种电平移位电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114448423A
申请号 ：
CN202210125890.3
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-02-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
庞坚
申请人 ：
芯河半导体科技（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园E1-301室
代理机构 ：
北京神州信德知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
朱俊杰
优先权 ：
CN202210125890.3
主分类号 ：
H03K19/0185
IPC分类号 ：
H03K19/0185 H03K19/003
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03K 19/0185
申请日 : 20220210
申请日 : 20220210
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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