电平移位电路及包含该电路的半导体集成电路器件
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
在构成电平移位电路的N沟道第1 MOS晶体管(TN－A)、第2MOS晶体管(TN－B)和P沟道第3MOS晶体管(TP－A)、第4MOS晶体管(TP－B)中，构成P沟道第5MOS晶体管(TP－C)和第6MOS晶体管(TP－D)，使其对第3MOS晶体管(TP－A)、第4MOS晶体管(TP－B)构成电流镜电路。由此，可防止从VDDH到VSS的贯通电流，并能高速工作。
基本信息
专利标题 ：
电平移位电路及包含该电路的半导体集成电路器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1770631A
申请号 ：
CN200510119394.3
公开（公告）日 ：
2006-05-10
申请日 ：
2005-11-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
水上幸洋来田和久
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
沈昭坤
优先权 ：
CN200510119394.3
主分类号 ：
H03K19/0185
IPC分类号 ：
H03K19/0185
法律状态
2008-07-02 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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