一种基于CVD-硒化铋可饱和吸收体的亮暗孤子锁模激光器
公开
摘要
本发明公开了一种基于CVD‑硒化铋可饱和吸收体的亮暗孤子锁模激光器，涉及激光技术领域，包括泵浦源一、泵浦源二和光纤谐振腔，且光纤谐振腔由波分复用器一、掺铒光纤、波分复用器二、偏振控制器一、100m单模光纤、可饱和吸收体、偏振无关隔离器、偏振控制器二和输出耦合器依次首尾连接而成；本发明通过化学气相沉积(CVD)方法制备了基于硒化铋(Bi2Se3)的可饱和吸收体，CVD‑Bi2Se3可饱和吸收体具有优异的可饱和吸收特性、丰富的非线性效应和高损伤阈值等优势。在本发明中基于CVD‑硒化铋可饱和吸收体的亮暗孤子锁模激光器实现了亮孤子和亮暗孤子脉冲输出，且平均输出功率/脉冲能量分别为82.6mW/48.3nJ和81.2mW/47.5nJ。
基本信息
专利标题 ：
一种基于CVD-硒化铋可饱和吸收体的亮暗孤子锁模激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597755A
申请号 ：
CN202111515407.4
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张华年张晗孙硕尚新新孙新
申请人 ：
台州同合激光科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省台州市温岭市东部新区金塘北路2号中小企业孵化园B区2号科研厂房二楼
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202111515407.4
主分类号 ：
H01S3/098
IPC分类号 ：
H01S3/098 C23C16/30 H01S3/067
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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