一种无铅杂化半导体材料、制备方法及光电探测器
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种无铅有机－无机杂化半导体材料，有机－无机杂化半导体材料分子式为[Ga(C3H7NO)6](I3)3，有机－无机杂化半导体材料由有机物N,N－二甲基甲酰胺(C3H7NO)、金属元素Ga和卤素元素I组成，其中N,N－二甲基甲酰胺中的O元素与Ga金属离子产生配位键，Ga金属阳离子与I卤素阴离子形成离子键。与现有的技术相比，本发明具有如下优点：通过N,N－二甲基甲酰胺，碘化甲胺和碘化镓利用室温液体扩散分离方法合成新型无毒稳定的窄带隙有机－无机杂化半导体材料[Ga(C3H7NO)6](I3)3，制备方法简单可行。该半导体材料具有无毒和优异的光电特性等特点，采用该杂化半导体材料的光电探测器光暗电流稳定，响应时间灵敏，具有运行稳定、良好的响应时间和宽波段响应。
基本信息
专利标题 ：
一种无铅杂化半导体材料、制备方法及光电探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114262338A
申请号 ：
CN202111523089.6
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
詹义强蔚安然刘风采
申请人 ：
中山复元新材料科技有限责任公司;中山复旦联合创新中心
申请人地址 ：
广东省中山市火炬开发区祥兴路6号数贸大厦南冀1405卡
代理机构 ：
深圳叁众知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
宋鹏飞
优先权 ：
CN202111523089.6
主分类号 ：
C07F5/00
IPC分类号 ：
C07F5/00 C07C233/03 C07C231/12 H01L51/42 H01L51/46 H01L51/48
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C07
有机化学
C07F
含除碳、氢、卤素、氧、氮、硫、硒或碲以外的其他元素的无环，碳环或杂环化合物
C07F5/00
含周期表第3或13族元素的化合物
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C07F 5/00
申请日 : 20211214
申请日 : 20211214
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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