一种硅电极的清洗方法
公开
摘要
本发明公开了一种硅电极的清洗方法，旨在解决硅电极清洗不够彻底，清洗效果不佳的不足。硅电极经过无尘布沾取IPA充分擦拭时，经过酸液、碱液、纯水的清洗后，再加热干燥，烘干冷却，最后真空包装。硅电极经过这十七步的清洗后，清洗彻底，清洗效果好，硅电极清洗后金属离子和颗粒数不会出现超标的现象。
基本信息
专利标题 ：
一种硅电极的清洗方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114602838A
申请号 ：
CN202111531114.5
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
余正飞叶天爱李长苏
申请人 ：
杭州盾源聚芯半导体科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市滨江区滨康路668号C幢
代理机构 ：
杭州杭诚专利事务所有限公司
代理人 ：
汪利胜
优先权 ：
CN202111531114.5
主分类号 ：
B08B1/00
IPC分类号 ：
B08B1/00 B08B3/02 B08B3/08 B08B3/12 B08B13/00 F26B21/00 H01L21/67
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B08
清洁
B08B
一般清洁；一般污垢的防除
B08B1/00
利用工具，刷子或类似工具的清洁方法
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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