一种低辐射的电场耦合器及其补偿电路设计方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种低辐射的电场耦合器，其特征在于，原边高压极板被副边低压极板所包裹，由副边低压极板对原边高压极板所产生的高压辐射形成静电屏蔽效果；副边高压极板被原边低压极板所包裹，由原边低压极板对副边高压极板所产生的高压辐射形成静电屏蔽效果。本发明的另一个技术方案是提供了一种上述的电场耦合器的补偿电路设计方法。本发明用低压极板包裹住了高压极板，可以形成静电屏蔽效果，与外界环境隔离，极大降低辐射强度。同时本发明在补偿电路的设计上基于等效六电容模型设计了新的补偿电路，即对等效六电容模型进行谐振补偿，最终只留下相对较小容值的交叉互电容，极大地简化了电路的分析量。
基本信息
专利标题 ：
一种低辐射的电场耦合器及其补偿电路设计方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114421641A
申请号 ：
CN202111543858.9
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高士齐尹毅明傅旻帆刘一鹏
申请人 ：
上海科技大学
申请人地址 ：
上海市浦东新区华夏中路393号
代理机构 ：
上海申汇专利代理有限公司
代理人 ：
翁若莹
优先权 ：
CN202111543858.9
主分类号 ：
H02J50/12
IPC分类号 ：
H02J50/12 H02J50/70
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H02J 50/12
申请日 : 20211216
申请日 : 20211216
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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