一种无调平过程的可扩展植入物微系统异构集成方法
公开
摘要
本发明公开了一种无调平过程的可扩展植入物微系统异构集成方法，现有生物植入式设备面临多功能、微型化集成需求，传统异构集成工艺中使用硅衬底以匹配集成电路光刻工艺，并采用深硅刻蚀等技术形成深芯片槽以防止芯片，并且对芯片减薄过程的精度有较大要求，通常采用底部填充料以进行芯片与硅衬底调平，并且薄的芯片极易碎裂；限制了异构集成植入式微系统的大规模批量制造；本发明通过采用PDMS材料作为载体包覆所需集成的器件，使得无需调平工艺即可形成可用于后道工艺RDL布线的集成多种器件的载体衬底；并通过使用导电胶连接封装芯片，实现了多种架构芯片以及SMD器件的微系统异构集成；提升了植入式设备异构集成批量制造能力。
基本信息
专利标题 ：
一种无调平过程的可扩展植入物微系统异构集成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464543A
申请号 ：
CN202111563305.X
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
洪慧王浩传
申请人 ：
杭州电子科技大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市下沙高教园区
代理机构 ：
杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
董世博
优先权 ：
CN202111563305.X
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L21/50 H01L21/60 H01L25/16
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
