螺旋选晶制备单晶85Cu-15Sn合金的方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了螺旋选晶制备单晶85Cu‑15Sn合金的方法，利用定向凝固炉，使用螺旋选晶的方法制备CuSn单晶合金，所述定向凝固炉包括结晶杆和螺旋选晶器；螺旋选晶器固定在结晶杆上；定向凝固使得合金凝固界面前沿具有较高的温度梯度，有利于生成定向晶，通过螺旋选晶的方法，制备了单晶Cu‑15Sn合金，得到了晶粒取向一致的铜锡合金，合金沿同一晶粒生长方向具有较大的弹性模量，消除了横向晶界，消除了裂纹扩展的主要条件，解决了传统铸造法制备的铜锡合金溶质偏析、塑性差的问题，使获得的铜锡合金组织分布均匀，综合性能优良。
基本信息
专利标题 ：
螺旋选晶制备单晶85Cu-15Sn合金的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114411240A
申请号 ：
CN202111572442.X
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邹军涛宋大拙张志伟梁淑华
申请人 ：
西安理工大学
申请人地址 ：
陕西省西安市碑林区金花南路5号
代理机构 ：
西安弘理专利事务所
代理人 ：
徐瑶
优先权 ：
CN202111572442.X
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B15/20 C30B29/52 C22C9/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/00
申请日 : 20211221
申请日 : 20211221
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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