一种硅负极材料的制备方法及制品和应用
公开
摘要
本发明提供了一种硅负极材料的制备方法,先在硅材料表面制备含较多羟基的二氧化硅层,记为Si@SiO2;然后通过羟基使得其可与硅烷偶联剂进行偶合反应,硅烷偶联剂上的尾部氨基朝外,进而得到氨基改性的Si@SiO2,而以苯胺作用碳源,氨基对于苯胺具有静电力作用,产生形核位点可以供苯胺定向生长,从而将聚苯胺均匀包覆在Si@SiO2表面,聚苯胺作为导电高分子,具有很高的导电性,且其共轭结构还具有较强的刚性,对硅材料的膨胀问题具有很好抑制作用。由此,本发明得到的硅负极材料不仅提高了硅碳复合的反应速度,且对硅颗粒的要求较低,即可形成高质量高导电性均匀包覆的聚苯胺层,能有效抑制硅材料的膨胀问题。
基本信息
专利标题 :
一种硅负极材料的制备方法及制品和应用
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114300667A
申请号 :
CN202111573853.0
公开(公告)日 :
2022-04-08
申请日 :
2021-12-21
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
杨承成吴秋丽张凯马斌陈杰杨山
申请人 :
惠州锂威新能源科技有限公司
申请人地址 :
广东省惠州市博罗县园洲镇东坡大道欣旺达产业园4号、5号、6号、17号厂房1-4楼、18号厂房
代理机构 :
天津市北洋有限责任专利代理事务所
代理人 :
潘俊达
优先权 :
CN202111573853.0
主分类号 :
H01M4/38
IPC分类号 :
H01M4/38 H01M4/48 H01M4/62
法律状态
2022-04-08 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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