一种硅负极材料的制备方法及制品和应用
公开
摘要
本发明提供了一种硅负极材料的制备方法，先在硅材料表面制备含较多羟基的二氧化硅层，记为Si@SiO2；然后通过羟基使得其可与硅烷偶联剂进行偶合反应，硅烷偶联剂上的尾部氨基朝外，进而得到氨基改性的Si@SiO2，而以苯胺作用碳源，氨基对于苯胺具有静电力作用，产生形核位点可以供苯胺定向生长，从而将聚苯胺均匀包覆在Si@SiO2表面，聚苯胺作为导电高分子，具有很高的导电性，且其共轭结构还具有较强的刚性，对硅材料的膨胀问题具有很好抑制作用。由此，本发明得到的硅负极材料不仅提高了硅碳复合的反应速度，且对硅颗粒的要求较低，即可形成高质量高导电性均匀包覆的聚苯胺层，能有效抑制硅材料的膨胀问题。
基本信息
专利标题 ：
一种硅负极材料的制备方法及制品和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300667A
申请号 ：
CN202111573853.0
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨承成吴秋丽张凯马斌陈杰杨山
申请人 ：
惠州锂威新能源科技有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市博罗县园洲镇东坡大道欣旺达产业园4号、5号、6号、17号厂房1-4楼、18号厂房
代理机构 ：
天津市北洋有限责任专利代理事务所
代理人 ：
潘俊达
优先权 ：
CN202111573853.0
主分类号 ：
H01M4/38
IPC分类号 ：
H01M4/38 H01M4/48 H01M4/62
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
