一种柱状缓冲层的RC-IGBT器件结构
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种柱状缓冲层的RC‑IGBT器件结构。该RC‑IGBT器件与传统器件相比,在器件的P型集电区上方有分离排列的N型柱状结构。由于上述分离排列的N型柱状结构对电场具有夹断作用,所以可以对电场起到缓冲作用。同时,分离排列的N型柱状结构可以引导正向导通初期的电子沿着分离排列的N型柱状结构横向流动,因此增加了电子导通路径的电阻,抑制了RC‑IGBT器件输出特性的第一象限的Snapback效应。
基本信息
专利标题 :
一种柱状缓冲层的RC-IGBT器件结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114373799A
申请号 :
CN202111577790.6
公开(公告)日 :
2022-04-19
申请日 :
2021-12-21
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王颖张孝冬于成浩曹菲
申请人 :
杭州电子科技大学
申请人地址 :
浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
代理机构 :
杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
杨舟涛
优先权 :
CN202111577790.6
主分类号 :
H01L29/06
IPC分类号 :
H01L29/06 H01L29/739
法律状态
2022-05-06 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211221
申请日 : 20211221
2022-04-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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