一种具有缓冲层结构的半导体器件
授权
摘要
本发明属于功率半导体器件测试领域，特别涉及一种具有缓冲层结构的半导体器件，包括依次设置的第一掺杂剂区域、第二掺杂剂区域、第三掺杂剂区域，还包括择一或多个组合设置的上掺杂剂区域、下掺杂剂区域、中部掺杂剂区域；所述上掺杂剂区域位于第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域之间；所述下掺杂剂区域位于第二掺杂剂区域和第三掺杂剂区域之间；所述中部掺杂剂区域位于第二掺杂剂区域中间，本发明的优点在于，能够实现较小的漏电流，从而提高器件的耐压能力，以及可运行的最高结温，增大器件的通流能力。
基本信息
专利标题 ：
一种具有缓冲层结构的半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112599587A
申请号 ：
CN202011443412.4
公开（公告）日 ：
2021-04-02
申请日 ：
2020-12-08
授权号 ：
CN112599587B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
曾嵘任春频刘佳鹏周文鹏陈政宇赵彪余占清
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
北京市海淀区清华园1号
代理机构 ：
北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张陆军
优先权 ：
CN202011443412.4
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/739
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2021-04-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20201208
申请日 : 20201208
2021-04-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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