晶圆无氧烘烤的水冷方法
实质审查的生效
摘要
公开了晶圆无氧烘烤的水冷方法，方法中，制备氨基硅烷改性溶液,其中，无氧化烤箱设备设有测量其内部温度的温度传感器以及设有水冷装置，晶圆放入无氧化烤箱设备中以第一预定温度进行无氧烘烤，预定时刻后，启示水冷装置冷却无氧化烤箱设备，当无氧化烤箱设备中的温度下降到第二预定温度时，无氧烘烤完成，当无氧化烤箱设备中的温度下降到第三预定温度时，关闭水冷装置以及取出晶圆。
基本信息
专利标题 ：
晶圆无氧烘烤的水冷方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284177A
申请号 ：
CN202111580692.8
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吕畅庄启升曾梓鑫
申请人 ：
上海利扬创芯片测试有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区永盛路2229号3幢1层、2层
代理机构 ：
北京前审知识产权代理有限公司
代理人 ：
张波涛
优先权 ：
CN202111580692.8
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 F25D17/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20211222
申请日 : 20211222
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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