一种针对NAND Flash最大保存时间错误数的分析方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种针对NAND Flash最大保存时间错误数的分析方法，本方法针对对个对照试验组进行不同条件的写入后，模拟NAND Flash的最大保存时间，然后进行不同条件的读取，从而判断各种条件下错误数是否仍在可纠错范围内，防止重要数据丢失，判断出各种条件下的错误情况后，为后续的读写提供指导，避免错误数超过可纠错范围。
基本信息
专利标题 ：
一种针对NAND Flash最大保存时间错误数的分析方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114283865A
申请号 ：
CN202111586620.4
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蒋书斌曹成李瑞东
申请人 ：
山东华芯半导体有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市高新区经十东路汉峪金谷A2-3第16层1601室
代理机构 ：
济南泉城专利商标事务所
代理人 ：
赵玉凤
优先权 ：
CN202111586620.4
主分类号 ：
G11C16/04
IPC分类号 ：
G11C16/04 G11C16/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 16/04
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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