一种具有超导修饰层的单晶富锂材料及其制备方法和应用
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种具有超导修饰层的单晶富锂材料及其制备方法和应用，所述单晶富锂材料的形貌为单晶一次颗粒，其内层结构和外层结构，所述内层结构由化学通式为xLi2MnO3·(1－x)LiMO2单晶颗粒构成，所述外层结构由化学式为Li4SiO4、Li2ZnSiO4、Li2MgSiO4、Li2CoSiO4、Li2NiSiO4、Li2SrSiO4或LiAlSiO4的超导修饰层，所述超导修饰层包覆所述xLi2MnO3·(1－x)LiMO2单晶颗粒。本发明通过一步煅烧的方式在合成单晶富锂材料的同时，原位构建表面超导修饰层，超导修饰层与富锂材料形成了一体化坚固的接触界面，同时创新性采用了含锂硅酸盐超离子导体材料来提高富锂材料的循环性能和倍率性能，本发明的单晶富锂材料压实密度高，循环寿命长、倍率性能优良，其制备方法工艺简单、产品形貌一致性好。
基本信息
专利标题 ：
一种具有超导修饰层的单晶富锂材料及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284472A
申请号 ：
CN202111588795.9
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
苏岳锋王萌李宁陈来卢赟黄擎曹端云吴锋
申请人 ：
北京理工大学重庆创新中心
申请人地址 ：
重庆市渝北区龙兴镇曙光路9号9幢
代理机构 ：
成都九鼎天元知识产权代理有限公司
代理人 ：
胡东东
优先权 ：
CN202111588795.9
主分类号 ：
H01M4/139
IPC分类号 ：
H01M4/139 H01M4/38 H01M4/485 H01M4/505 H01M4/525 H01M10/0525 C01B33/20 C01B33/26 C01B33/32 C01G53/00
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01M 4/139
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
