均质掺镁铌酸锂单晶及其制备方法
专利申请的视为撤回
摘要
均质掺镁铌酸锂(MgO：LiNbO3)单晶的生长属于单晶生长领域。本发明的特征是：按三元摩尔总量等于100％计算，使用Li2O/Nb2O5＝(47.2±0.3)/(52.8∴0.3)(摩尔比)，MgO含量为4.0-7.0摩尔％的MgO：LiMbO3均质组成，在1220℃～1270℃的炉温下，以1～3毫米/小时的提拉速度，10～25转/分钟的旋转速度，用提拉法生长MgO：LiNbO3单晶体。经极化处理后所获得的晶体具有良好的光学均匀性。采用本方法生长的MgO：LiNbO3单晶，无生长条纹和包裹体等宏观缺陷，具有良好的化学组成均匀性。
基本信息
专利标题 ：
均质掺镁铌酸锂单晶及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1048569A
申请号 ：
CN89104593.7
公开（公告）日 ：
1991-01-16
申请日 ：
1989-07-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周燕飞王锦昌唐连安朱泉宝谭浩然吴跃安
申请人 ：
中国科学院上海硅酸盐研究所
申请人地址 ：
200050上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
聂淑仪
优先权 ：
CN89104593.7
主分类号 ：
C30B29/22
IPC分类号 ：
C30B29/22 C30B29/30 C30B15/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
C30B29/22
复合氧化物
法律状态
1993-02-10 ：
专利申请的视为撤回
1991-01-16 ：
公开
1990-04-04 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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