本发明公开一种负载Ag纳米颗粒的光电极在光电化学合成芳香羧酸中的应用。所述芳香羧酸如式Ⅰ结构其中，R₁选自H或C1‑C4的烷基，R₂选自H或甲基，该光电极展现出较高的催化性能，并且在绿色环保方面优势明显，符合绿色化学的要求。本发明通过金属辅助化学刻蚀法成功制备出负载Ag纳米颗粒的光电极，其中，Ag纳米颗粒是性能优异的催化剂，可以有效降低反应的过电势，该光电极在化学刻蚀的作用下使硅片表面生成了大量的纳米孔洞结构，该孔洞结构不仅能够起到消反作用，减少反光，提高光电极的光吸收能力，同时还将Ag纳米颗粒牢固镶嵌在纳米孔洞的底部，解决了催化剂易脱落导致的性能下降的问题，提高光电极的稳定性和催化能力。