本发明属于毫米波器件设计技术领域，具体为一种基于V型天线的波导‑微带过渡结构。包括：沿输出方向依次设置的输入波导、窄边加宽波导、矩形腔以及用于后级芯片级联的芯片腔。通过基板正面的V型天线结构，将从输入波导传播的能量耦合到基板背面的共面带线结构中，再共面带线结构中的传输微带线将电磁波控制在共面带线结构中传输。由于接地微带线朝向传输微带线的边缘为一条对数曲线，配合接地孔，使电场方向从微带线垂直指向接地孔，最终电磁波能量低损耗传播到和芯片等宽的芯片腔中，完成波导与微带线的过渡。与现有技术相比，本发明的输入和输出接口处于同一水平面上，避免了传统过渡结构中存在的输入输出接口不一致、体积大等问题。