一种新型波导微带过渡

授权

摘要

本实用新型公开了一种新型波导微带过渡，包括波导、介质基片和腔体，所述波导安装在介质基片下方，所述腔体安装在介质基片上方，介质基片与波导的接触面用焊锡烧结在一起，从而介质基片可以将整个波导口封闭。本实用新型结构简单，使用方便，采用介质基片将整个波导口封闭，介质基片与波导的接触面用焊锡烧结在一起，用介质基片隔绝水汽、多余物等进入微波组件内部，从而过渡结构具有水密特性，此外因微波基片与波导截面全部用焊锡烧结在一起，因此过渡结构具有优良的结构强度特性。

基本信息

专利标题：

一种新型波导微带过渡

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021977554.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-09-11

授权号：

CN213278346U

授权日：

2021-05-25

发明人：

王司亮

申请人：

四川欣科奥电子科技有限公司

申请人地址：

四川省成都市成华区龙潭工业园成宏路26号汇润国际11楼

代理机构：

成都为知盾专利代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

李汉强

优先权：

CN202021977554.4

主分类号：

H01P5/107

IPC分类号：

H01P5/107