一种基于宽导带的直通式波导微带过渡结构
公开
摘要
本发明公开了一种基于宽导带的直通式波导微带过渡结构，包括波导，覆盖有宽导带的介质基片和微带线。波导由标准波导、减高波导、减高减宽波导、减宽波导、约束腔、微带屏蔽腔由左往右紧贴级联而成，介质基片位于减宽波导下壁上，并与下壁紧密贴合，上方紧密覆盖宽导带。利用减高波导和减高减宽波导促使电场集中在宽导带与减高波导、减高减宽波导的下壁之间，逐渐把电场集中到微带线介质内，利用减高减宽波导和减宽波导抑制微带线端口可能出现的高次模，最后形成实现直通式、无隔直问题、无谐振、低反射、低损耗的波导微带过渡结构。同时本发明结构紧凑，体积小，易加工，适合在微波集成电路中推广应用。
基本信息
专利标题 ：
一种基于宽导带的直通式波导微带过渡结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566778A
申请号 ：
CN202210063080.X
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张永鸿张宇驰赵明华刘宸宇童凌云梁涛冯涛樊勇
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新西区西源大道2006号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210063080.X
主分类号 ：
H01P5/107
IPC分类号 ：
H01P5/107
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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