一种高首效氧化亚硅负极及其制备方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种高首效氧化亚硅负极及其制备方法,涉及储能材料技术领域,为解决氧化亚硅负极材料的首效或容量性能不佳,严重制约了氧化亚硅负极的推广和使用的问题;本发明包括将碳包覆后的氧化亚硅和氢化锂在惰性气体氛围下物理混合;将混合后的物料转移到加热装置中,在惰性气体氛围下加热碳化;将碳化后的物料进行打散;本发明,工艺简单,成本低,易于产业化,强还原剂氢化锂可以显著提升氧化亚硅负极材料的首效,还原前先进行碳包覆可以控制强还原剂氢化锂的还原速度,确保有效降低硅的晶粒尺寸,以降低材料的化学膨胀,大幅提升循环性能。

基本信息
专利标题 :
一种高首效氧化亚硅负极及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114275785A
申请号 :
CN202111596499.3
公开(公告)日 :
2022-04-05
申请日 :
2021-12-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
梅海龙赵志伟冷九够何自国张奎高凡付健戴涛
申请人 :
安徽科达新材料有限公司
申请人地址 :
安徽省马鞍山市当涂经济开发区金柱中路大唐当涂电厂旁
代理机构 :
马鞍山市金桥专利代理有限公司
代理人 :
吴方舟
优先权 :
CN202111596499.3
主分类号 :
C01B33/113
IPC分类号 :
C01B33/113  H01M4/36  H01M4/48  H01M4/583  H01M10/0525  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素;其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/113
氧化硅;其水合物
法律状态
2022-04-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 33/113
申请日 : 20211224
2022-04-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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