一种氧化亚硅负极材料及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种氧化亚硅负极材料及其制备方法。所述氧化亚硅负极材料具有以下特征：对其进行铜靶X射线衍射分析，可以确定其包含Si，Mg2SiO4，MgO晶体结构，位于22.8°的Mg2SiO4（021）晶面的衍射峰强Ia与位于42.7°的MgO（200）晶面的衍射峰强Ib的比满足1≤Ia/Ib≤3，优选1.5≤Ia/Ib≤2.5，位于28.4°的Si（111）晶面的半高宽Fa与Mg2SiO4（021）晶面的半高宽Fb满足1≤Fa/Fb≤3.5，优选1.5≤Fa/Fb≤3，且根据谢勒公式计算出的Si（111）晶面晶粒尺寸≤25nm。该负极材料具有较高的首效和较优的循环性能。
基本信息
专利标题 ：
一种氧化亚硅负极材料及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373915A
申请号 ：
CN202210033124.4
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2022-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
常家瑞程序邱琳琳张洁
申请人 ：
万华化学集团股份有限公司
申请人地址 ：
山东省烟台市经济技术开发区重庆大街59号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210033124.4
主分类号 ：
H01M4/36
IPC分类号 ：
H01M4/36 H01M4/48 H01M4/587
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01M 4/36
申请日 : 20220112
申请日 : 20220112
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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