一种氧化亚硅负极材料的预锂化方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种氧化亚硅负极材料的预锂化方法,一种氧化亚硅负极材料的预锂化方法,包括以下步骤(1)预锂化:将二氧化硅和单质硅进行破碎、粉碎、研磨处理,使二氧化硅和单质硅颗粒直径大小在80~100纳米,将纳米级的二氧化硅和单质硅按照90:10~10:90的摩尔比混合均匀并压制成型后装入管式炉中;(2)歧化/碳包覆;(3)电化学测试:将预锂化的SiO负极材料、聚偏氟乙烯、乙炔黑按80:10:10‑70:15:15的质量比在NMP中制备浆料。本发明在氧化亚硅的制备过程中引入金属锂,高温区的单质硅和二氧化硅在抽真空的条件下会生成氧化亚硅,极大的提高预锂化速度,进而提高生产效率降低生产成本,易于产业化。
基本信息
专利标题 :
一种氧化亚硅负极材料的预锂化方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114497501A
申请号 :
CN202210097002.1
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2022-01-27
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
唐其伟王丽
申请人 :
德州学院
申请人地址 :
山东省德州市德城区大学西路566号
代理机构 :
济南龙瑞知识产权代理有限公司
代理人 :
刘燕丽
优先权 :
CN202210097002.1
主分类号 :
H01M4/36
IPC分类号 :
H01M4/36 H01M4/38 H01M4/48 H01M10/052
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01M 4/36
申请日 : 20220127
申请日 : 20220127
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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