刻蚀可调的甘脲类低聚物及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明适用于光刻胶技术领域，提供了一种刻蚀可调的甘脲类低聚物及其制备方法，该方法包括：将四羟甲基甘脲、取代醇、酸性阳离子树脂均匀混合，得到混合液；将所述混合液升温并在真空条件下进行恒温反应，反应完成后，得到刻蚀可调的甘脲类低聚物。本发明通过该方法制备得到的甘脲类低聚物不仅可大大降低抗反射涂层在n/k值方面的调整难度，同时还可加快抗反射涂层刻蚀速率，极大的提高了光刻工艺的吸光性能。
基本信息
专利标题 ：
刻蚀可调的甘脲类低聚物及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114262396A
申请号 ：
CN202111603760.8
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
顾大公陈鹏夏力马潇许从应毛智彪
申请人 ：
宁波南大光电材料有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市北仑区柴桥街道青山路21号
代理机构 ：
深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
左光明
优先权 ：
CN202111603760.8
主分类号 ：
C08F8/32
IPC分类号 ：
C08F8/32 C08G83/00 G03F7/004
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C08
有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
C08F
仅用碳-碳不饱和键反应得到的高分子化合物
C08F8/00
用后处理进行化学改性
C08F8/30
引入氮原子或含氮基团
C08F8/32
与胺类反应
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C08F 8/32
申请日 : 20211224
申请日 : 20211224
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
