本发明属于纳米人工复合物技术领域，针对现有方法制备得到的石墨烯仍然具有很高的电阻等问题，本发明公开了一种降低石墨烯层内电阻率的方法。该方法通过范德华堆垛技术构建了六方氮化硼、CrOCl和单层石墨烯的范德瓦尔斯异质结，由于CrOCl和单层石墨烯之间的层间“界面耦合”效应，在室温下即可获得比在硅晶元表面或者六方氮化硼表面电阻率小一个数量级的石墨烯样品。该方法工艺简单，利用层间耦合这一新颖效应，可以非常简单地获得超高电导率的单层石墨烯，为未来研制超薄轻量化，低电阻触摸屏提供了更优异的材料选择。