低电阻率钌层的低温化学气相沉积
专利权的终止
摘要
提供了一种用于沉积低电阻率钌金属层(440、460)的低温化学气相沉积工艺，这种低电阻率钌金属层(440、460)可以在Cu金属化方案中用作阻挡/晶种层。该方法(300)包括在沉积系统(1、100)的处理室(10、110)中提供衬底(25、125)，形成包含羰基钌前驱体蒸汽和含CO气体的处理气体，以及将衬底(25、125)暴露于处理气体以通过热化学气相沉积工艺在衬底(25、125)上沉积低电阻率钌金属层(440、460)，其中衬底(25、125)在所述暴露期间被维持在约100℃和约300℃之间的温度。还提供了包含钌金属层(440、460)的半导体器件，钌金属层(440、460)形成在包含一个或多个过孔或沟槽(430)或其组合的图案化衬底(402、404、406、408)上。
基本信息
专利标题 ：
低电阻率钌层的低温化学气相沉积
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101164161A
申请号 ：
CN200680010435.8
公开（公告）日 ：
2008-04-16
申请日 ：
2006-03-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
铃木健二
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
李剑
优先权 ：
CN200680010435.8
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/532 C23C16/16 C23C16/448
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2015-05-13 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101609138677
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2006800104358
申请日 : 20060323
授权公告日 : 20100303
终止日期 : 20140323
号牌文件序号 : 101609138677
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2006800104358
申请日 : 20060323
授权公告日 : 20100303
终止日期 : 20140323
2010-03-03 ：
授权
2008-06-11 ：
实质审查的生效
2008-04-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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