宽带低剖面AMC波束可调腔体单极子阵列天线
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种宽带低剖面AMC波束可调腔体单极子阵列天线，包括单极子天线单元、宽带AMC结构、金属腔体。所述单极子天线单元所述单极子天线单元包括单极子天线和单极子天线两侧三角条状的寄生结构，单极子天线安装在金属腔体的小腔体的侧壁上；所述宽带AMC结构为加空气层的方形贴片型AMC结构，其位于单极子天线与腔体底面之间，在介质基板上面印制正方形阵列，介质基板与腔体底面之间为空气层。所述金属腔体为长方体，一面开口，中间有一长方形金属薄壁。本发明通过在小尺寸腔体内对宽带小型化AMC单极子天线单元排阵，应用阵列单元间的馈电相位差实现俯仰面波束可调，整个阵列在小尺寸腔体内具有良好的俯仰面波束可调特性和方位面的宽波束特性。
基本信息
专利标题 ：
宽带低剖面AMC波束可调腔体单极子阵列天线
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114374098A
申请号 ：
CN202111609193.7
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
雷娟黄磊侯雅静汪俊孔玉吴松陈士举
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市太白南路2号
代理机构 ：
西北工业大学专利中心
代理人 ：
刘新琼
优先权 ：
CN202111609193.7
主分类号 ：
H01Q21/06
IPC分类号 ：
H01Q21/06 H01Q21/00 H01Q3/34 H01Q9/30 H01Q1/36 H01Q1/50 H01Q1/00
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01Q 21/06
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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