低剖面二维波束扫描阵列天线
授权
摘要
本实用新型公开了一种低剖面二维波束扫描阵列天线，涉及阵列天线技术领域。所述阵列天线包括位于下侧的谐振器天线ERA本体，所述天线本体包括部分反射表面PRS，所述部分反射表面PRS的上侧固定有底层全金属相位校正结构，所述底层全金属相位校正结构的上侧固定有中层全金属相位校正结构，所述中层全金属相位校正结构的上侧固定有顶层全金属相位校正结构，所述底层全金属相位校正结构与所述部分反射表面PRS之间的距离为λ0/4，所述全金属相位校正结构之间的距离为λ0/3。所述阵列具有天线结构简单，成本低，功率容量较大等优点，天线相位均匀性得到了显著改善。
基本信息
专利标题 ：
低剖面二维波束扫描阵列天线
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122730695.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-09
授权号 ：
CN216529362U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
胡南
申请人 ：
胡南
申请人地址 ：
北京市海淀区农大南路1号硅谷亮城5号楼406室
代理机构 ：
河北冀华知识产权代理有限公司
代理人 ：
王占华
优先权 ：
CN202122730695.7
主分类号 ：
H01Q3/36
IPC分类号 ：
H01Q3/36 H01Q19/10 H01Q1/38 H01Q21/00
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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