一种纳米材料膜修饰ITO传感器及制备方法
公开
摘要
本发明涉及一种纳米材料膜修饰ITO传感器制备方法。ITO传感器包括ITO导电玻璃，和在其表面依次涂覆的第一SnO2修饰膜、石墨烯膜、金纳米粒子修饰膜。该纳米材料膜修饰ITO传感器可以提高界面稳定性和抗干扰性，具有重现性好的优点，对完善现有ITO传感膜制备方法具有较好的研究价值。
基本信息
专利标题 ：
一种纳米材料膜修饰ITO传感器及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114414639A
申请号 ：
CN202111610115.9
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
甄建辉梁刚田浩
申请人 ：
北京农业质量标准与检测技术研究中心;石家庄海关技术中心
申请人地址 ：
北京市海淀区西郊板井村市农林科学院院内
代理机构 ：
北京巨弘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张婧
优先权 ：
CN202111610115.9
主分类号 ：
G01N27/30
IPC分类号 ：
G01N27/30 G01N27/36
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/30
•••电极，例如测试电极；半电池
法律状态
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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