一种提高通道内3D NAND FLASH并行度的方法及系...
实质审查的生效
摘要
本发明根据3D NAND FLASH的读写特性，在一条写命令和写数据中穿插入其他FLASH的命令，降低通道的读延迟，提高读写擦并行度。为了保证写性能和读性能的平衡，设计了一套根据新命令、读命令反馈和定时器触发的判断流程，依据该流程在一条写命令的lower page和middle page的busy时间段内，插入其他NAND FLASH的读/擦命令、读/擦数据的同时，不会牺牲太多的写性能。可根据用户需求，实时调节写延迟，换取低读延迟，并提高同一通道内NAND FLASH并行度。
基本信息
专利标题 ：
一种提高通道内3D NAND FLASH并行度的方法及系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114333948A
申请号 ：
CN202111616821.4
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李绪金沈力刘奇浩
申请人 ：
山东华芯半导体有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市高新区经十东路汉峪金谷A2-3第16层1601室
代理机构 ：
济南泉城专利商标事务所
代理人 ：
赵玉凤
优先权 ：
CN202111616821.4
主分类号 ：
G11C16/04
IPC分类号 ：
G11C16/04 G11C16/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 16/04
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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