包覆式多量子阱NLED阵列结构及其制作方法
公开
摘要
本发明提出一种包覆式多量子阱NLED阵列结构及其制作方法，提供的方案包括透明电极层，图案化处理的第一型半导体层、多量子阱层和具有表面微结构的第二型半导体层、二氧化硅保护层、具有高反射性质的金属电极层；其中，多量子阱层在第一型半导体层的圆台型图案上直接生长，多量子阱层表面包覆在第一型半导体的圆台型图案上，以增大出光面积，提高器件的发光亮度，并且可以释放GaN与蓝宝石衬底之间的应变力，抑制量子阱限制斯塔克效应，增加LED的内量子效率。同时，第二型半导体上的表面微结构为周期性光栅阵列结构，以及整体梯形存在一定的倾斜角度的结构，能够减少第二型半导体和透明电极之间高折射率差带来的全反射，从而提高LED的外量子效率。
基本信息
专利标题 ：
包覆式多量子阱NLED阵列结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300503A
申请号 ：
CN202111618294.0
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
叶芸彭宇郭太良陈恩果徐胜
申请人 ：
福州大学
申请人地址 ：
福建省福州市闽侯县福州大学城乌龙江北大道2号福州大学
代理机构 ：
福州元创专利商标代理有限公司
代理人 ：
丘鸿超
优先权 ：
CN202111618294.0
主分类号 ：
H01L27/15
IPC分类号 ：
H01L27/15 H01L33/00 H01L33/06 H01L33/12 H01L33/32 H01L33/46
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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