一种防止金属剥离残留的方法
实质审查的生效
摘要
本发明属于半导体芯片微纳加工制造技术领域，具体涉及一种防止金属剥离残留的方法，包括以下步骤：(1)在晶圆表面采用PECVD沉积牺牲层；(2)采用匀胶机在所述牺牲层的表面涂覆光刻胶；(3)用光刻机进行曝光、然后显影；(4)采用蒸发镀膜机或磁控溅射机沉积金属层；(5)湿法腐蚀去光刻胶；(6)湿法腐蚀去牺牲层。本发明在匀胶前沉积一层牺牲层(二氧化硅或者易腐蚀的金属)，在显影后湿法腐蚀的过程利用各向同性特点保证光刻胶形成倒梯形，而防止后续金属剥离有残留。与现有技术相比，本发明有效改善金属剥离的残留问题，提升产品品质。
基本信息
专利标题 ：
一种防止金属剥离残留的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334616A
申请号 ：
CN202111620905.5
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
龚跃武陈婷官盛果杨山清涂良成
申请人 ：
中山大学南昌研究院
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌高新技术开发区艾溪湖北路269号
代理机构 ：
南昌合达信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘丹
优先权 ：
CN202111620905.5
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 H01L21/033
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/027
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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