一种电子轰击CMOS成像方法及装置
公开
摘要
本发明实施例提供一种电子轰击CMOS成像方法及装置，该方法包括：获取图像灰度值；根据所述图像灰度值选择器件的工作模式，所述工作模式包括昼模式和夜模式；根据所述器件的工作模式和所述图像灰度值调节所述器件的高压电源和曝光时间。所述电子轰击CMOS成像方法通过自动调节高压电源及曝光时间，实现了高效成像的效果。
基本信息
专利标题 ：
一种电子轰击CMOS成像方法及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114302024A
申请号 ：
CN202111624653.3
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李力刘璇金伟其
申请人 ：
北京理工大学
申请人地址 ：
北京市海淀区中关村南大街5号
代理机构 ：
北京润平知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵敏岑
优先权 ：
CN202111624653.3
主分类号 ：
H04N5/202
IPC分类号 ：
H04N5/202 H04N5/232 H04N5/374
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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