一种高光束质量VCSEL结构及制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种高光束质量VCSEL结构及制备方法，VCSEL芯片外延结构包括上下依次设置的P型DBR层、氧化层、P型波导层、半导体多量子阱层、N型波导层、N型DBR层和衬底层；P型DBR层的上表面刻蚀形成有光子晶体结构、侧面通过离子注入形成有离子注入电流抑制区，氧化层的中部形成有氧化孔；VCSEL芯片外延结构的顶部或底部设有光学谐振外腔。本发明首先将VCSEL器件中的电流限制效应(氧化孔+离子注入电流抑制区)与光学限制效应(光子晶体结构)解耦，并通过增加光学谐振外腔可建立发光单元间确定的位相关系，提高激光光束质量，最后输出窄线宽高光束质量激光。
基本信息
专利标题 ：
一种高光束质量VCSEL结构及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300939A
申请号 ：
CN202111628631.4
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
代京京王智勇宗梦雅
申请人 ：
北京工业大学
申请人地址 ：
北京市朝阳区平乐园100号
代理机构 ：
北京汇信合知识产权代理有限公司
代理人 ：
林聪源
优先权 ：
CN202111628631.4
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/11
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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