一种碲化铋基纳米管的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种碲化铋基纳米管的制备方法,包括以下步骤:S1、在衬底上设置模板,然后在所述衬底上沉积多个铋线;S2、移除所述模板得到具有衬底支撑的铋线,并将所述具有衬底支撑的铋线置于硝酸中浸泡,减少所述铋线的线径且使得所述铋线线径达纳米级;S3、在所述具有衬底支撑的铋线上沉积碲化铋包层,然后通过真空退火处理得到具有衬底支撑的多个中空的碲化铋基纳米管。本发明利用沉积技术结合模板控制及真空退火处理能够制备得到规则排列的碲化铋基纳米管,相比现有的碲化铋基纳米管的制备方法相比,制备方法简单,成本低,且获得的碲化铋基纳米管的结构均一性好。
基本信息
专利标题 :
一种碲化铋基纳米管的制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114497337A
申请号 :
CN202111660363.4
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2021-12-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
程新利刘宏
申请人 :
苏州科技大学;苏州窄带半导体科技有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市高新区学府路99号
代理机构 :
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 :
赖婉婷
优先权 :
CN202111660363.4
主分类号 :
H01L35/16
IPC分类号 :
H01L35/16 C01B19/00 B82Y40/00
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 35/16
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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