扭矩测量单元和装置、井下扭矩测量系统和方法及应用
公开
摘要
本发明公开了一种扭矩测量单元和装置、井下扭矩测量系统和方法及应用。所述扭矩测量单元包括：相对设置的两个薄膜电极、位于薄膜电极之间的两个半导体层和位于半导体层之间的绝缘体层；所述半导体层采用含GaN材料，所述绝缘体层采用SiO2；第一薄膜电极设置为加载高频输入信号；第二薄膜电极设置为输出高频输出信号。所述扭矩测量装置和系统包括所述扭矩测量单元，由于该扭矩测量单元采用GaN半导体层和SiO2绝缘体层，在直流电压作用下能够产生电场沟道，在扭矩力作用下，电场沟道电容变化，引起高频信号相位差变化，从而能够精确测量扭矩力的变化情况，测量灵敏度高。
基本信息
专利标题 ：
扭矩测量单元和装置、井下扭矩测量系统和方法及应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114526852A
申请号 ：
CN202111661846.6
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王家进艾维平窦修荣毛为民王鹏贾衡天樊懿锋魏志刚王磊郭贤伟
申请人 ：
中国石油天然气集团有限公司;中国石油集团工程技术研究院有限公司
申请人地址 ：
北京市东城区东直门北大街9号
代理机构 ：
北京思格颂知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨超
优先权 ：
CN202111661846.6
主分类号 ：
G01L3/00
IPC分类号 ：
G01L3/00 E21B47/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L3/00
转矩、功、机械功率、机械效率的一般计量
法律状态
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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