用于降低晶圆温度的装置
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种用于降低晶圆温度的装置，包含：一存放架，具有一腔室及复数个支撑件，所述复数个支撑件配置于所述腔室内，用以支撑和收容复数个晶圆；以及一气体输送模块，配置于所述存放架的一侧，且与一气体源连接，所述气体输送模块具有复数个分气出口及复数个气孔，每一分气出口对应每一气孔，且每一气孔位于两个支撑件之间。
基本信息
专利标题 ：
用于降低晶圆温度的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334755A
申请号 ：
CN202111682474.5
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李慧沙俊汀刘忠武
申请人 ：
拓荆科技股份有限公司
申请人地址 ：
辽宁省沈阳市浑南区水家900号
代理机构 ：
上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄海霞
优先权 ：
CN202111682474.5
主分类号 ：
H01L21/673
IPC分类号 ：
H01L21/673 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/673
使用专用的载体的
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/673
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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