基于多晶硅生长全周期接地监测的还原电源调功电路
授权
摘要
本实用新型属于多晶硅还原电源技术领域，尤其涉及基于多晶硅生长全周期接地监测的还原电源调功电路，包括调功控制单元、调功回路单元和接地监测单元；接地监测单元包括JD开关、电流互感器JDCT和六个相同且依次串联的电阻；第一个电阻的输入端与调功回路单元连接，同时通过JD开关与调功控制单元连接；最后一个电阻上并联有电压继电器，且最后一个电阻的输出端通过电流互感器JDCT接地设置。本技术方案填补了还原炉接地监测在时间段上的盲区，实现在还原电源工作全过程中的还原炉实时接地监测，最大限度的确保还原炉设备和还原电源的运行安全，为对多晶硅的顺利生长提供了重要保障。
基本信息
专利标题 ：
基于多晶硅生长全周期接地监测的还原电源调功电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202120822995.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-04-21
授权号 ：
CN216351147U
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
戴斧庹如刚王恒唐文东
申请人 ：
四川永祥新能源有限公司
申请人地址 ：
四川省乐山市五通桥区龙翔路999号
代理机构 ：
成都天嘉专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
向丹
优先权 ：
CN202120822995.5
主分类号 ：
G01R31/52
IPC分类号 ：
G01R31/52 G01R31/14 G01R27/08
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/52
测试短路、泄漏电流或接地故障
法律状态
2022-04-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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