一种IGBT驱动保护的门极电路
授权
摘要
本实用新型提供一种IGBT驱动保护的门极电路；包括光耦合器6N137、驱动模块EXB481和定时器NE555P；驱动模块EXB481的1号引脚上电性连接有绝缘栅双极型晶体管VIG，且驱动模块EXB481的1号引脚电性连接在绝缘栅双极型晶体管VIG的集电极上，驱动模块EXB481的3号引脚电性连接有电阻Rg，且电阻Rg远离驱动模块EXB481的一端电性连接在绝缘栅双极型晶体管VIG的基极上，驱动模块EXB481的6号引脚串联有二极管VD1和稳压二极管VZ3，且稳压二极管VZ3远离二极管VD1的一端电性连接在驱动模块EXB481的发射极上。本实用新型将驱动模块EXB841的6号引脚的超快速恢复二极管VD1换为导通压降大一点的超快速恢复二极管或反向串联一个稳压二极管，从而避免IGBT过窄脉宽下的低输出大功耗状态，避免盲区。
基本信息
专利标题 ：
一种IGBT驱动保护的门极电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202121834308.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-08-06
授权号 ：
CN216162692U
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
曾广磊李小峰刘春华
申请人 ：
上海英同电气有限公司
申请人地址 ：
上海市普陀区金迈路1号1幢一层1088室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202121834308.8
主分类号 ：
H03K17/567
IPC分类号 ：
H03K17/567 H03K17/28
法律状态
2022-04-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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