高可靠的GaN功率管快速门极驱动电路
授权
摘要
本实用新型提供一种高可靠的GaN功率管快速门极驱动电路，包括：驱动电流调节电路的控制端与反相器INV115的输入端接门极驱动电路的输入端；门极驱动电路的输入端用于输入控制信号On；反相器INV115的输出端接第一MOS开关Q111的控制端以及关断延时电路的输入端；关断延时电路的输出端接第二MOS开关Q113的控制端；驱动电流调节电路输出两路电流源iCp、iDrv，分别接到电荷泵电容C120两端的节点a和节点b；第一MOS开关Q111的一个开关端接节点a，另一个开关端接参考地；第二MOS开关Q113的一个开关端接节点b，另一个开关端接参考地；节点b作为门极驱动电路的输出端；本实用新型能够提升GaN功率管工作可靠性。
基本信息
专利标题 ：
高可靠的GaN功率管快速门极驱动电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020318648.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-13
授权号 ：
CN211377999U
授权日 ：
2020-08-28
发明人 ：
励晔黄飞明赵文遐贺洁朱勤为
申请人 ：
无锡硅动力微电子股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区珠江路51号
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN202020318648.4
主分类号 ：
H03K17/0812
IPC分类号 ：
H03K17/0812 H03K17/687
法律状态
2020-08-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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