一种IGBT门极驱动电路
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摘要
本实用新型涉及一种IGBT门极驱动电路，包括PWM脉冲宽度调制器、VCC正电源端、VEE负电源端、IGBT门极、第一NPN开关管、第一PNP开关管、第一电阻和第二电阻，第一NPN开关管和VCC正电源端之间设置有开通缓冲电路，PWM脉冲宽度调制器与第一电阻的电性连接，第一NPN开关管的发射极和第一PNP开关管的发射极分别通过第二电阻与IGBT门极电性连接，第一PNP开关管和VEE负电源端之间设置有关断缓冲电路，开通缓冲电路和关断缓冲电路分别与所述第二电阻的一端电性连接，且第二电阻和所述IGBT门极之间设置有第三电阻。开通缓冲电路和关断缓冲电路的设计，减小开通损耗，避免上升速度过快导致IGBT门极电压过冲；减小关断损耗，避免下降速过快导致IGBT门极电压过冲。
基本信息
专利标题 ：
一种IGBT门极驱动电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123124264.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
CN216564921U
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
李小琼
申请人 ：
深圳市优联电气技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室(入驻深圳市前海商务秘书有限公司)
代理机构 ：
北京睿博行远知识产权代理有限公司
代理人 ：
张君男
优先权 ：
CN202123124264.2
主分类号 ：
H02M1/08
IPC分类号 ：
H02M1/08
法律状态
2022-05-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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