一种用于集成电路的表面氧化处理装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于集成电路的表面氧化处理装置，包括：输送装置，所述输送装置设置在底座的上端，且输送装置的表面安装有轴承座，并且轴承座的中间贯穿连接有转轴，而且转轴之间设置有放置框；氧化室，所述氧化室设置在输送装置的右端，且氧化室内设置有加热装置，并且氧化室的上端还设置有氧化剂喷嘴；冷却室，所述冷却室设置在输送装置的左端，且冷却室的顶端安装有冷风机，并且冷却室的上端还设置有冷风喷嘴，而且冷风机与冷风喷嘴相连接。该用于集成电路的表面氧化处理装置能够在氧化处理过程中，有效的降低等待间隔时间，从而有效的提高生产效率，并且在处理过程中，对工件的氧化处理更加均匀，提高氧化质量。
基本信息
专利标题 ：
一种用于集成电路的表面氧化处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202121878159.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-08-12
授权号 ：
CN216311724U
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
李昊
申请人 ：
绍兴鹏芯电子科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市越城区北海街道朝皇路218号越兴大厦407
代理机构 ：
绍兴融创专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
石浩
优先权 ：
CN202121878159.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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