一种三维薄膜吸气剂结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种三维薄膜吸气剂结构，包括器件层，所述器件层的表面包括呈波形排列的斜坡部，沿所述斜坡部的表面上沉积有吸气剂薄膜层。通过在连续起伏的斜坡部沉积薄膜吸气剂，相对传统的垂直结构表面薄膜沉积工艺，斜坡面更容易沉积均匀和粘附性强的薄膜吸气剂，比平面薄膜沉积工艺增大了薄膜吸气剂的有效面积，延长芯片的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种三维薄膜吸气剂结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202121882601.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-08-12
授权号 ：
CN216336592U
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
赵龙杨晓杰李海涛姚浩强高玉波赵雪城
申请人 ：
安徽光智科技有限公司
申请人地址 ：
安徽省滁州市琅琊经济开发区南京路100号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
姚璐华
优先权 ：
CN202121882601.1
主分类号 ：
B81B7/00
IPC分类号 ：
B81B7/00 B81B7/02
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B81
微观结构技术
B81B
微观结构的装置或系统，例如微观机械装置
B81B7/00
微观结构系统
法律状态
2022-04-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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