一种除尘组件和加料装置
授权
摘要
本实用新型公开一种除尘组件和加料装置，涉及加料技术领域，以解决使用加料装置加料时，粉尘漂浮造成环境污染和危害工作人员身体健康的问题。所述除尘组件包括吸尘管，吸尘管为环形且设置有吸尘口和通风口，吸尘口设置有多个，多个吸尘口沿吸尘管的周向间隔分布，且多个吸尘口均位于吸尘管的下端面，多个吸尘口中，每个吸尘口适于与待吸尘装置连通，通风口设置于吸尘管的外环面上，且与吸尘口异面设置，通风口适于与抽吸装置相连。所述加料装置包括上述技术方案所提的除尘组件，本实用新型提供的除尘组件用于使用加料装置加料时进行除尘。
基本信息
专利标题 ：
一种除尘组件和加料装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122660586.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-02
授权号 ：
CN216688413U
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
杨金辉曾春严杨德玉王三宝澹敬涛赵世兴王桂元马学芳王海丰
申请人 ：
银川隆基硅材料有限公司
申请人地址 ：
宁夏回族自治区银川市（国家级）经济技术开发区开元东路15号
代理机构 ：
北京知迪知识产权代理有限公司
代理人 ：
王胜利
优先权 ：
CN202122660586.2
主分类号 ：
C30B15/02
IPC分类号 ：
C30B15/02 C30B29/06 B08B15/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
法律状态
2022-06-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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