一种高性能防虚焊薄膜电容
授权
摘要
本实用新型涉及薄膜电容技术领域,且公开了一种高性能防虚焊薄膜电容,包括塑壳、薄膜卷、阴极引脚和阳极引脚,所述薄膜卷位于塑壳的内部,所述阴极引脚的左端和阳极引脚的右端均与薄膜卷的内部连接,所述塑壳的内壁设置有两个定位凸缘,所述塑壳的左右两侧均螺纹连接有端盖,两个端盖的中心处均开设有通孔,所述阴极引脚位于左侧通孔的内部,所述阳极引脚位于右侧通孔的内部。该高性能防虚焊薄膜电容,通过塑壳、薄膜卷、阴极引脚、阳极引脚、凹凸引脚、定位凸缘、端盖、通孔、环氧树脂层和直线引脚之间的相互配合,达到了增强引脚抗拉拔性能的效果,解决了现有薄膜金属引脚的抗拉拔能力较弱的问题。
基本信息
专利标题 :
一种高性能防虚焊薄膜电容
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122844133.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-11-18
授权号 :
CN216212909U
授权日 :
2022-04-05
发明人 :
鲁廷立黄炎
申请人 :
深圳京裕电子有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市龙岗区平湖镇良安田京华工业园9栋3楼
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202122844133.5
主分类号 :
H01G4/33
IPC分类号 :
H01G4/33 H01G4/228 H01G4/224 H01G4/002 H01G2/08
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器;电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G4/00
固定电容器;及其制造方法
H01G4/33
薄膜或厚膜电容器
法律状态
2022-04-05 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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