溢流浸泡水洗装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种溢流浸泡水洗装置，包括第一浸泡槽(1)、第二浸泡槽(2)和第三浸泡槽(3)，注水口(11)延伸至第一浸泡槽底部一侧，第一溢流口(100)位于第一浸泡槽顶部另一侧，注水口与第一溢流口位于第一浸泡槽对角线上；第一溢流口位于第二浸泡槽顶部一侧，第二溢流口(200)位于第二浸泡槽底部另一侧，第一溢流口与第二溢流口位于第二浸泡槽对角线上；第二溢流口位于第三浸泡槽底部一侧，第三溢流口(300)位于第三浸泡槽顶端另一侧，第二溢流口与第三溢流口位于第三浸泡槽对角线上。本实用新型能在每个浸泡水洗槽中形成对角线溢流，增大药水的流动路径，防止清洗死角，保证产品的水洗浸泡效果。
基本信息
专利标题 ：
溢流浸泡水洗装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122868147.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-22
授权号 ：
CN216749812U
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
孙辉彭波
申请人 ：
青岛泰睿思微电子有限公司
申请人地址 ：
山东省青岛市即墨市服装工业园孔雀河三路56号
代理机构 ：
上海唯源专利代理有限公司
代理人 ：
曾耀先
优先权 ：
CN202122868147.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 B08B3/08
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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