一种防止PECVD炉管粉尘污染的装置
授权
摘要
本实用新型属于太阳能电池技术领域，公开了一种防止PECVD炉管粉尘污染的装置。该装置包括壳体和盖板。壳体的内部具有中空通道，中空通道沿其轴向设置有第一端口和第二端口，第一端口和炉管连通，第二端口和真空泵连通。盖板活转动设置在壳体的内部，具有关闭中空通道的初始状态和打开中空通道的打开状态。当真空泵运行时，盖板能够朝向真空泵的方向转动至打开状态，使炉管和真空泵连通；当真空泵停止运行时，盖板能够回复到初始状态，能够防止气流回流至炉管中。该装置结构简单，易于制作，加工成本低，能够有效防止真空泵停车瞬间，粉尘回灌至炉管，对硅片造成污染。
基本信息
专利标题 ：
一种防止PECVD炉管粉尘污染的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122890876.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-24
授权号 ：
CN216337941U
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
李永伟李继强刘祖利任良为马政
申请人 ：
横店集团东磁股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省金华市东阳市横店镇工业区
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
季承
优先权 ：
CN202122890876.6
主分类号 ：
C23C16/44
IPC分类号 ：
C23C16/44 C23C16/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
法律状态
2022-04-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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