一种半导电层剥除结构
授权
摘要
本实用新型具体公开了一种半导电层剥除结构，包括第一手柄和第二手柄，第一手柄和第二手柄通过铰接轴可相互转动地连接，所述第一手柄的一端设有上钳头，上钳头的侧面设有上施力臂，上施力臂的一端转动设有上导向轮，上导向轮的两端均凸出设有上承托部，两个上承托部之间形成上限位槽，上限位槽的中部设有竖切刀，第二手柄的一端设有下钳头，下钳头的侧面设有下施力臂，下施力臂的一端转动设有下导向轮，下导向轮的两端均凸出设有下承托部，两个下承托部之间形成下限位槽，上钳头和下钳头咬合时，上限位槽和下限位槽之间形成竖切夹持区，确保竖切刀稳定，不会跑偏，同时，能够对电缆上的半导电层进行渐入式竖切，并保持切割的竖切线深度一致。
基本信息
专利标题 ：
一种半导电层剥除结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122896857.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-24
授权号 ：
CN216289923U
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
钟其达
申请人 ：
广东安诺新材料科技有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区桂城街道夏北社区一环路东侧夏北扇面产业中心A2栋厂房首层
代理机构 ：
佛山市明高知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
廖珍珍
优先权 ：
CN202122896857.4
主分类号 ：
H02G1/12
IPC分类号 ：
H02G1/12 H01R43/28
法律状态
2022-04-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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